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製品情報 > 理化学機器・半導体製造装置
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原子層制御多元真空蒸着装置 VPE-200
( EB・抵抗加熱複合蒸着装置)
Multi Vacuum Evaporation SYSTEM
複合・多彩な蒸着膜の作製が可能
使いやすくシンプルな設計
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EB・抵抗加熱複合蒸着装置 |
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本装置は、2元の抵抗加熱蒸着源及び単元(3連)
E型電子銃蒸着が可能です。 - 基板は、最大30×30mmの蒸着が可能で、加熱温度は最大600℃、360°回転することにより、分布の均一性を保ちます。
対象材料
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バッチ式 蒸着チャンバ
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外観 装置寸法 W800×D550×H1550mm 重量 約250Kg 薄膜生成部 チャンバ寸法/材質 Φ300×525(L)mm /SUS304 取り付け可能蒸着源 抵抗加熱ユニット×2 3連EB蒸着源×1 基板加熱 定格温度500℃ 基板回転方式 ACモータ、ブラシ型スリップリング 基板回転速度 0〜60rpm 試料寸法 最大30×30mm 到達真空度 1.3E−5Pa以下 真空・排気系 真空排気系 ターボ分子ポンプ 450l/sec
ロータリーポンプ 333l/min
(ドライポンプ選択可)膜厚計 水晶振動子 ICF70 MAX130℃ 真空測定 チャンバ フルレンジ真空計 電源・制御 電源 3相AC200V 50A 抵抗加熱電源 200A(負荷電流) インタロック 真空・HV異常:E型電子銃が通電停止
停 電:真空保管
冷却水:加熱・EB通電停止