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原子層制御多元真空蒸着装置 VPE-200
Multi Vacuum Evaporation SYSTEM

PDFを表示複合・多彩な蒸着膜の作製が可能
使いやすくシンプルな設計

特徴

原子層制御多元真空蒸着装置

EB・抵抗加熱複合蒸着装置

  • 本装置は、2元の抵抗加熱蒸着源及び単元(3連)
    E型電子銃蒸着が可能です。
  • 基板は、最大30×30mmの蒸着が可能で、加熱温度は最大600℃、360°回転することにより、分布の均一性を保ちます。

 

対象材料

金、銀、モリブデン、チタン 等。
2元の抵抗加熱蒸着は切り替えスイッチで選択。真空計モニタ、基板加熱機構制御盤

2元の抵抗加熱蒸着は切り替えスイッチで選択。真空計モニタ、基板加熱機構制御盤

バッチ式 蒸着チャンバ

チャンバ構造が簡便に出来ているため、試料交換、メンテナンスや洗浄性に優れている。

バッチ式 蒸着チャンバ

 

仕様

外観  装置寸法  W800×D550×H1550mm
重量 約250Kg
薄膜生成部 チャンバ寸法/材質 Φ300×525(L)mm /SUS304
取り付け可能蒸着源 抵抗加熱ユニット×2 3連EB蒸着源×1
基板加熱 定格温度500℃
基板回転方式 ACモータ、ブラシ型スリップリング
基板回転速度 0〜60rpm
試料寸法 最大30×30mm
到達真空度  1.3E−5Pa以下
真空・排気系 真空排気系  ターボ分子ポンプ 450l/sec
ロータリーポンプ 333l/min
(ドライポンプ選択可)
膜厚計 水晶振動子 ICF70 MAX130℃
真空測定 チャンバ フルレンジ真空計
電源・制御 電源 3相AC200V 50A
抵抗加熱電源 200A(負荷電流)
インタロック 真空・HV異常:E型電子銃が通電停止
停 電:真空保管
冷却水:加熱・EB通電停止

 

図

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LP−CVD装置

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