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原子層制御多元真空蒸着装置 VPE-200
Multi Vacuum Evaporation SYSTEM
複合・多彩な蒸着膜の作製が可能
使いやすくシンプルな設計
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EB・抵抗加熱複合蒸着装置 |
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本装置は、２元の抵抗加熱蒸着源及び単元（３連）
Ｅ型電子銃蒸着が可能です。 - 基板は、最大３０×３０ｍｍの蒸着が可能で、加熱温度は最大６００℃、３６０°回転することにより、分布の均一性を保ちます。
対象材料
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バッチ式 蒸着チャンバ
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外観 装置寸法 W８００×D５５０×H１５５０ｍｍ 重量 約２５０Ｋｇ 薄膜生成部 チャンバ寸法/材質 Φ３００×５２５（L）ｍｍ /ＳＵＳ３０４ 取り付け可能蒸着源 抵抗加熱ユニット×2 ３連ＥＢ蒸着源×1 基板加熱 定格温度５００℃ 基板回転方式 ＡＣモータ、ブラシ型スリップリング 基板回転速度 ０〜６０ｒｐｍ 試料寸法 最大３０×３０ｍｍ 到達真空度 １．３Ｅ−５Ｐａ以下 真空・排気系 真空排気系 ターボ分子ポンプ ４５０ｌ／ｓｅｃ
ロータリーポンプ ３３３ｌ／ｍｉｎ
（ドライポンプ選択可）膜厚計 水晶振動子 ＩＣＦ７０ ＭＡＸ１３０℃ 真空測定 チャンバ フルレンジ真空計 電源・制御 電源 ３相ＡＣ２００Ｖ ５０A 抵抗加熱電源 ２００Ａ（負荷電流） インタロック 真空・HV異常：E型電子銃が通電停止
停 電：真空保管
冷却水：加熱・ＥＢ通電停止
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ＬＰ−ＣＶＤ装置 |
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