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プラズマアッシング装置 VPA-100
Plasma Ashing SYSTEM

PDFを表示低価格・小型実験研究用
フォトレジストの灰化・除去に最適

  • プラズマアッシング装置VPA−100は、エッチングの後にプラズマを利用して、レジストを剥離(アッシング)するバレル型バッジ式装置です。
  • 本装置は、外部電極と内部電極間にプラズマを発生させ、活性化されたガスが内部に拡散・照射され剥離処理を行います。
  • ガス導入はダウンフロー式で基板加熱機構を具備しておりますので、サンプルへのダメージを抑えて高めのアッシングレートが得られます。4インチウェハ相当でのユニフォミティは±7%(参考値)程度です。

 

用途

・フォトレジストのアッシング
・シリコン有機膜のアッシング

 
 

電極・基板加熱

CCP電極式の印加方式と積極的な基板加熱により、均一性に優れた構造。
電極・基板加熱

   

省スペース

装置と電源制御系が同一架台に収納されているため、ダウンサイジング設計。

省スペース

バッチ式チャンバ

チャンバ構造が簡便に出来ているため、アッシング後の試料交換、メンテナンスや洗浄性に優れています。

バッチ式チャンバ

仕様

外観  装置寸法  W600×D600×H1700mm
重量  約300kg
反応容器 反応管  Φ170×172Lmm 石英
ワークサイズ Φ100×1枚
ワークサセプタ Al板
到達真空度  E-2Torr以下
放電電極 縦型円筒電極 13.56MHz MAX500W
オートマッチング制御
基板加熱機構 加熱ヒータ マントルヒータ
最大加熱温度 MAX350℃
制御方式 PID方式(サイリスタ制御)
真空・排気系 真空排気系  油回転真空ポンプ  167l/m
ガス導入  マスフローコントローラ  02 :50sccm
CF4:50sccm
1台増設可能ポート有 
電源・制御 電源 AC200V 30A 
インタロック 冷却水:放電停止
停 電:真空保管

 

基板加熱・RFパワーのレート依存性

 

基板加熱・RFパワーのレート依存性

用途に合わせてカスタマイズ可能です。

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