-
製品情報 > 理化学機器・半導体製造装置 > ＬＰ−ＣＶＤ装置
マイクロプロｰバー
各種成膜装置
ＰＬＤ装置
ＬＰ−ＣＶＤ装置
スパッタリング装置
ＥＢ・抵抗加熱複合蒸着装置
Ｃａｔ−ＣＶＤ装置
ＣＶＤ装置納入実績
蒸着装置納入実績
ＭＥＭＳ関連処理装置
スプレーコーティング装置
プラスマ・アッシング装置
ＩＣＰ−ＲＩＥ装置
残留ガス分析装置
気孔分析装置
ガラス泡内ガス分析装置
磁気遮蔽スパッタガン
高出力超音波洗浄機
その他 理化学機器納入実績
LP-CVD装置 VLC-100
Low Pressure Chemical Vaper Deposition
低価格・小型実験研究用のCVD装置
窒化膜・ポリシリコン膜作成に最適
本装置は拡散炉を２台持ち、用途に応じて効率的に成膜することが可能。- プロセスから発生した反応生成物を除去する高性能トラップを搭載し、排気配管や真空ポンプ・除害筒の寿命を大幅に延長。
- 制御には操作盤のタッチパネル上で手動・自動操作が選択可能。
用途
|
切換え式横型拡散炉
|
制御
|
増設用ラック
|
外観 装置寸法 W700×D1200×H1730mm 排気架台寸法 W800×D700×H900mm 重量 約400kg 反応容器 反応管 Φ40×700Lmm 石英 両側フランジ Oリングシール SUS304 ワークサイズ □20mm以下 ワークホルダ 石英 処理枚数20枚 到達真空度 E-4Torr以下 試料加熱部 加熱温度 最大使用温度 1200℃（常用1000℃） 加熱長 100mm 拡散炉 切換え式 2台（同時使用不可） 制御電源 プログラム設定方式（PID制御） 真空・排気系 真空排気系 油回転真空ポンプ 500L/m （フォンブリン仕様）
オイルクリーナ及び生成物トラップ付メカニカルブースターポンプ 1500L/m ガス導入 マスフローコントローラ ７系統（最大８系統） 電源・制御 電源 AC200V ５0A インタロック リーク：ガス導入不可
過圧力：ガス導入停止
過昇温：加熱停止
上・下流基板膜厚分布
用途に合わせてカスタマイズ可能です。
