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LP−CVD装置 VLC-100
Low Pressure Chemical Vaper Deposition

PDFを表示低価格・小型実験研究用
窒化膜・ポリシリコン膜作成に最適

特徴

  • LP−CVD装置本装置は拡散炉を2台持ち、用途に応じて効率的に成膜することが可能。
  • プロセスから発生した反応生成物を除去する高性能トラップを搭載し、排気配管や真空ポンプ・除害筒の寿命を大幅に延長。
  • 制御には操作盤のタッチパネル上で手動・自動操作が選択可能。

 

用途

・多結晶シリコン膜作製
・シリコン酸化・窒化膜作製
・ポリシリコン膜作製

切換え式横型拡散炉

切換え式炉のため、成膜時間の短縮・使用ガスにより使い分けが可能なため、コンタミの防止。
切換え式横型拡散炉

制御

すべての機能を制御、監視可能なタッチパネル。解りやすく視認性の高い8インチパネルを採用。

 

増設用ラック

真空排気空いているラック部に他の真空装置を増設可能(真空排気系・ガス導入系も共通使用可能)。

増設用ラック

 

仕様

外観  装置寸法  W700×D1200×H1730mm
排気架台寸法 W800×D700×H900mm
重量  約400kg
反応容器     反応管  Φ40×700Lmm 石英
両側フランジ  Oリングシール SUS304
ワークサイズ □20mm以下
ワークホルダ 石英 処理枚数20枚
到達真空度  E-4Torr以下
試料加熱部 加熱温度  最大使用温度 1200℃(常用1000℃)
加熱長  100mm
拡散炉 切換え式 2台(同時使用不可)
制御電源 プログラム設定方式(PID制御)
真空・排気系 真空排気系  油回転真空ポンプ 500L/m (フォンブリン仕様)
オイルクリーナ及び生成物トラップ付
メカニカルブースターポンプ 1500L/m
ガス導入  マスフローコントローラ  7系統(最大8系統) 
電源・制御 電源 AC200V 50A 
インタロック リーク:ガス導入不可
過圧力:ガス導入停止
過昇温:加熱停止

上・下流基板膜厚分布

上・下流基板膜厚分布

 

上・下流基板膜厚分布

用途に合わせてカスタマイズ可能です。

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EB・抵抗加熱複合蒸着装置

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