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ICP−RIE装置 VIR-100
Inductive Coupled Plasma-Reactive Ion Etching SYSTEM

PDFを表示低価格・小型実験研究用
MEMS・デバイスなどエッチングに最適

特徴

  • ICP−RIE装置VIR−100は、放電形式にICPを採用し、各種材料の超微細加工を目的としたバッチ式装置です。
  • 本装置はICPコイル側で高密度プラズマを発生します。サンプルにイオンやラジカルを引きよせるバイアス電極には、可変周波数電源を接続しているため、幅広いエッチング条件に対応します。
  • また、基板にバイアスを印加し、照射するイオンエネルギーをプラズマと独立して制御することも可能です。

 

 

 

用途

・GaN、GaP、InPなど化合物半導体の低ダメージエッチング
・MEMSデバイスなどのエッチング

 

下部引き込み電極

下部引き込み電極

冷却効果、耐プラズマに優れた構造。 サセプタには熱伝導の優れているAlNを採用。

 

省スペース

省スペース

装置と電源制御系が同一架台に収納されているため、ダウンサイジング設計。

バッチ式チャンバ

バッチ式チャンバ

チャンバ構造が簡便に出来ているため、試料交換、エッチング後のメンテナンスや洗浄性に優れている。

 

仕様

外観 装置寸法 W800×D700×H1600mm
重量 約300kg
反応容器 反応管 Φ70×180Lmm 石英
エッチング室 Φ180×160Lmm SUS316L
ワークサイズ □20mm×4枚
ワークサセプタ AlN板
到達真空度 E-4Torr以下
放電電極 ICPコイル 13.56MHz MAX500W
オートマッチング制御
下部電極 200K−2MHz MAX500W
オートマッチング制御
真空・排気系 真空排気系 油回転真空ポンプ  167l/m
(フォンブリン仕様)
ターボ分子ポンプ 250l/s
(耐腐食仕様)
オプション オイルクリーナ・生成物トラップ
ガス導入 マスフローコントローラ 4台(任意)
電源・制御 電源 AC200V 30A
インタロック 冷却水:放電停止
停 電:真空保管

GaPフォトニック結晶の断面

基板:GaP(001)
エッチング時間:150分
アスペクト比:〜2

GaPフォトニック結晶の断面

用途に合わせてカスタマイズ可能です。

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